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如何清洗單晶片

更新時間:2020-04-29   點擊次數(shù):1470次

大直徑晶片的清洗采用上述方法不好保證其清洗過程的完成,通常采用單晶片清洗法,如下圖所示,其清洗過程是在室溫下重復利用DI-O 3/DHF清洗液,臭氧化的DI水(DI-O3 )產(chǎn)生氧化硅,稀釋的HF蝕刻氧化硅,同時清除顆粒和金屬污染物。根據(jù)蝕刻和氧化的要求采用較短的噴淋時間就可獲得好的清洗效果,不會發(fā)生交叉污染。后沖洗不是采用DI水就是采用臭氧化DI水。為了避免水漬,采用濃縮大量氮氣的異丙基乙醇(IPA)進行干燥處理。單晶片清洗具有或者比改良的RCA清洗更好的清洗效果,清洗過程中通過采用DI水及HF的再循環(huán)利用,降低化學品的消耗量,提高晶片成本效益。

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